삼성전자가 세계 최초로 ‘3세대 10나노급’(1나노는 10억 분의 1m) D램을 개발했다.

2세대 10나노급 D램을 양산한 지 16개월 만으로, 업계는 삼성전자가 경쟁사와의 기술 격차를 더 벌리며 글로벌 메모리 시장의 독주 체제를 공고히 했다는 평가를 내리고 있다.

삼성전자는 세계 최초로 ‘3세대 10나노급(1z) 8기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)4 D램’ 개발에 성공했다고 21일 밝혔다. 이 제품은 기존 2세대 10나노급(1y) D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰다. 속도 증가로 전력효율도 개선됐다. 같은 10나노급이지만 1z는 1y보다 미세하게 더 작다는 것을 의미한다. 반도체 회로 간격과 칩 크기를 줄인 결과다.

특히 이 제품은 글로벌 CPU 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 받아 향후 삼성전자의 글로벌 메모리 시장 확대에도 큰 역할을 할 것으로 보인다.

삼성전자는 하반기 3세대 10나노급(1z) D램을 본격 양산하고, 2020년에는 성능과 용량을 동시에 높인 차세대 D램(DDR5, LPDDR5 등)을 본격적으로 공급할 계획이다. 경쟁사들이 2세대 10나노급 D램 양산에 제대로 나서지 못하고 있어서 삼성전자와의 기술 격차는 더 벌어지게 됐다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 부사장은 “미세공정 한계를 극복한 혁신적인 D램 기술 개발로 초고속 초절전 차세대 라인업을 출시하게 됐다”며 “향후 프리미엄 D램 라인업을 지속적으로 늘려 프리미엄 메모리 시장의 성장세를 이어갈 것”이라고 말했다.